• Kroghstræde 6, 48

    9220 Aalborg Ø

    Danmark

19992023
Hvis du har foretaget ændringer i Pure, vil de snart blive vist her.

Fingeraftryk Fingeraftryk er baseret på at anvende teksten fra personernes videnskabelige dokumenter til at skabe et indeks med vægtede ord, som definerer de vigtigste emner fra hver enkelt forsker.

  • 26 Lignende profiler
Insulated gate bipolar transistors (IGBT) Teknik og materialevidenskab
Short circuit currents Teknik og materialevidenskab
Electric potential Teknik og materialevidenskab
field effect transistors Fysik og astronomi
Temperature Teknik og materialevidenskab
Networks (circuits) Teknik og materialevidenskab
heavy ions Fysik og astronomi
Heavy ions Teknik og materialevidenskab

Netværk Klik på punkterne for at se detaljerne.

Projekter 2017 2023

Publikationer 1999 2019

26 Downloads (Pure)

A Lumped-Charge Approach Based Physical SPICE-Model for High Power Soft-Punch Through IGBT

Duan, Y., Xiao, F., Luo, Y. & Iannuzzo, F., mar. 2019, I : IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics. 7, 1, s. 62-70 9 s.

Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningpeer review

Åben adgang
Fil
Insulated gate bipolar transistors (IGBT)
SPICE
Temperature
Physics
Experiments

Mission-Profile-Based Lifetime Prediction for a SiC MOSFET Power Module using a Multi-Step Condition-Mapping Simulation Strategy

Ceccarelli, L., Kotecha, R., Bahman, A. S., Iannuzzo, F. & Mantooth, A., 15 jan. 2019, (Accepteret/In press) I : I E E E Transactions on Power Electronics.

Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningpeer review

Åben adgang
Fil
Topology
Power converters
Reliability analysis
Specifications
Finite element method
3 Downloads (Pure)

Performance Analysis of a Single-phase GaN-based 3L-ANPC Inverter for Photovoltaic Applications

Valente, M., Iannuzzo, F., Yang, Y. & Gurpinar, E., 5 feb. 2019, 2018 IEEE 4th Southern Power Electronics Conference (SPEC). IEEE

Publikation: Bidrag til bog/antologi/rapport/konference proceedingKonferenceartikel i proceedingForskningpeer review

Åben adgang
Fil
Gallium nitride
High electron mobility transistors
Power electronics
Topology
Silicon
20 Downloads (Pure)

The Temperature Dependence of the Flatband Voltage in High Power IGBTs

Baker, N. R. & Iannuzzo, F., 2019, I : IEEE Transactions on Industrial Electronics. 4 s.

Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningpeer review

Åben adgang
Fil
Insulated gate bipolar transistors (IGBT)
Electric potential
Temperature
Temperature measurement
Power bipolar transistors

A Multi-Layer RC Thermal Model for Power Modules Adaptable to Different Operating Conditions and Aging

Akbari, M., Bahman, A. S., Tavakoli Bina, M., Eskandari, B., Iannuzzo, F. & Blaabjerg, F., 30 okt. 2018, Proceedings of 2018 20th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'18 ECCE Europe). IEEE, s. 1-10 10 s. 8515416

Publikation: Bidrag til bog/antologi/rapport/konference proceedingKonferenceartikel i proceedingForskningpeer review

Åben adgang
Fil
Aging of materials
Thermal aging
Hot Temperature
Circuit simulation
Insulated gate bipolar transistors (IGBT)

Presse/medie

Danmark på pålidelighedslandkortet i 2018

Frede Blaabjerg & Francesco Iannuzzo

04/05/2018

1 element af mediedækning

Presse/medie