Foto af Martin Bendix Fogsgaard

Martin Bendix Fogsgaard

  • Pontoppidanstræde 101, 2021

    9220 Aalborg Ø

    Danmark

20152019
Hvis du har foretaget ændringer i Pure, vil de snart blive vist her.

Fingerprint Fingerprint er automatisk genererede koncepter, som stammer fra personprofilernes indhold. Det opdateres løbende med nye registreringer.

  • 15 Lignende profiler
Wire Teknik og materialevidenskab
Gallium nitride Teknik og materialevidenskab
Insulated gate bipolar transistors (IGBT) Teknik og materialevidenskab
High electron mobility transistors Teknik og materialevidenskab
finite element method Fysik og astronomi
Transistors Teknik og materialevidenskab
Wear of materials Teknik og materialevidenskab
wire Fysik og astronomi

Netværk Klik på punkterne for at se detaljerne.

Publikationer 2015 2019

  • 2 Konferenceartikel i proceeding
  • 1 Tidsskriftartikel

Finite Element Modeling of IGBT Modules to Explore the Correlation between Electric Parameters and Damage in Bond Wires

Jiang, M., Fu, G., Ceccarelli, L., Du, H., Fogsgaard, M. B., Bahman, A. S., Yang, Y. & Iannuzzo, F., sep. 2019, Proceedings of 2019 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE) . IEEE Press, s. 839-844 6 s.

Publikation: Bidrag til bog/antologi/rapport/konference proceedingKonferenceartikel i proceedingForskningpeer review

Insulated gate bipolar transistors (IGBT)
Wire
Crack propagation
Materials properties
Health

Wear-out evolution analysis of multiple-bond-wires power modules based on thermo-electro-mechanical FEM simulation

Jiang, M., Fu, G., Fogsgaard, M. B., Bahman, A. S., Yang, Y. & Iannuzzo, F., sep. 2019, I : Microelectronics Reliability. 100-101, 6 s., 113472.

Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningpeer review

finite element method
Wear of materials
wire
Wire
Cracks
8 Citationer (Scopus)

Conduction, reverse conduction and switching characteristics of GaN E-HEMT

Sørensen, C., Lindblad Fogsgaard, M., Christiansen, M. N., Kjeldal Graungaard, M., Nørgaard, J. B., Uhrenfeldt, C. & Trintis, I., jun. 2015, Proceedings of the IEEE 6th International Symposium on Power Electronics for Distributed Generation Systems, PEDG 2015. Aachen, Germany: IEEE Press, s. 1-7 7 s.

Publikation: Bidrag til bog/antologi/rapport/konference proceedingKonferenceartikel i proceedingForskningpeer review

Gallium nitride
High electron mobility transistors
Transistors
Voltage drop