Lorenzo Ceccarelli

Electrical Engineering

  • Pontoppidanstræde 101, 72

    9220 Aalborg Ø

    Danmark

20162021
Hvis du har foretaget ændringer i Pure, vil de snart blive vist her.

Publikationer 2016 2019

  • 7 Konferenceartikel i proceeding
  • 4 Konferenceartikel i tidsskrift
  • 1 Bidrag til bog/antologi
  • 1 Tidsskriftartikel
Filter
Konferenceartikel i tidsskrift
2018

Effect of short-circuit stress on the degradation of the SiO2 dielectric in SiC power MOSFETs

Reigosa, P. D., Iannuzzo, F. & Ceccarelli, L., sep. 2018, I : Microelectronics Reliability. 88-90, s. 577-583 7 s.

Publikation: Bidrag til tidsskriftKonferenceartikel i tidsskriftForskningpeer review

short circuits
Leakage currents
Short circuit currents
field effect transistors
degradation
1 Downloads (Pure)

Investigating SiC MOSFET body diode's light emission as temperature-sensitive electrical parameter

Ceccarelli, L., Luo, H. & Iannuzzo, F., sep. 2018, I : Microelectronics Reliability. 88-90, s. 627-630 4 s.

Publikation: Bidrag til tidsskriftKonferenceartikel i tidsskriftForskningpeer review

Light emission
light emission
Diodes
field effect transistors
diodes
14 Downloads (Pure)

Investigation on the degradation indicators of short-circuit tests in 1.2 kV SiC MOSFET power modules

Du, H., Reigosa, P. D., Iannuzzo, F. & Ceccarelli, L., 1 sep. 2018, I : Microelectronics Reliability. 88-90, s. 661-665 5 s.

Publikation: Bidrag til tidsskriftKonferenceartikel i tidsskriftForskningpeer review

short circuits
Short circuit currents
field effect transistors
static characteristics
degradation
2017
9 Citationer (Scopus)
1 Downloads (Pure)

A survey of SiC power MOSFETs short-circuit robustness and failure mode analysis

Ceccarelli, L., Reigosa, P. D., Iannuzzo, F. & Blaabjerg, F., sep. 2017, I : Microelectronics Reliability. 76-77, s. 272-276 5 s.

Publikation: Bidrag til tidsskriftKonferenceartikel i tidsskriftForskningpeer review

failure modes
short circuits
Short circuit currents
Failure modes
field effect transistors