Foto af He Du
  • Pontoppidanstræde 101, 2-053

    9220 Aalborg Ø

    Danmark

20182020
Hvis du har foretaget ændringer i Pure, vil de snart blive vist her.

Fingerprint Fingerprint er automatisk genererede koncepter, som stammer fra personprofilernes indhold. Det opdateres løbende med nye registreringer.

  • 8 Lignende profiler
Short circuit currents Teknik og materialevidenskab
short circuits Fysik og astronomi
field effect transistors Fysik og astronomi
Degradation Teknik og materialevidenskab
Insulated gate bipolar transistors (IGBT) Teknik og materialevidenskab
degradation Fysik og astronomi
Silicon carbide Teknik og materialevidenskab
Wire Teknik og materialevidenskab

Netværk Klik på punkterne for at se detaljerne.

Publikationer 2018 2020

  • 2 Konferenceartikel i proceeding
  • 2 Konferenceartikel i tidsskrift
  • 1 Tidsskriftartikel
8 Downloads (Pure)

Impact of Repetitive Short-Circuit Tests on the Normal Operation of SiC MOSFETs Considering Case Temperature Influence

Du, H., Reigosa, P. D., Ceccarelli, L. & Iannuzzo, F., 2020, I : IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics. 11 s.

Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningpeer review

Fil
Silicon carbide
Short circuit currents
Temperature
Degradation
Leakage currents

Finite Element Modeling of IGBT Modules to Explore the Correlation between Electric Parameters and Damage in Bond Wires

Jiang, M., Fu, G., Ceccarelli, L., Du, H., Fogsgaard, M. B., Bahman, A. S., Yang, Y. & Iannuzzo, F., sep. 2019, Proceedings of 2019 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE) . IEEE Press, s. 839-844 6 s.

Publikation: Bidrag til bog/antologi/rapport/konference proceedingKonferenceartikel i proceedingForskningpeer review

Insulated gate bipolar transistors (IGBT)
Wire
Crack propagation
Materials properties
Health
13 Downloads (Pure)

Impact of the Case Temperature on the Reliability of SiC MOSFETs Under Repetitive Short Circuit Tests

Du, H., Reigosa, P. D., Iannuzzo, F. & Ceccarelli, L., mar. 2019, Proceedings of 2019 IEEE Annual Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC 2019). IEEE Press, s. 332-337 6 s.

Publikation: Bidrag til bog/antologi/rapport/konference proceedingKonferenceartikel i proceedingForskningpeer review

Åben adgang
Fil
Short circuit currents
Temperature
Bias voltage
Leakage currents
Wire
11 Downloads (Pure)

Implications of short-circuit events on power cycling of 1.2-kV/20-A SiC MOSFET power modules

Du, H., Ceccarelli, L., Iannuzzo, F. & Reigosa, P. D., sep. 2019, I : Microelectronics Reliability. 100-101, s. 1-6 6 s.

Publikation: Bidrag til tidsskriftKonferenceartikel i tidsskriftForskningpeer review

Åben adgang
Fil
short circuits
Short circuit currents
field effect transistors
cycles
degradation
3 Citationer (Scopus)
20 Downloads (Pure)

Investigation on the degradation indicators of short-circuit tests in 1.2 kV SiC MOSFET power modules

Du, H., Reigosa, P. D., Iannuzzo, F. & Ceccarelli, L., 1 sep. 2018, I : Microelectronics Reliability. 88-90, s. 661-665 5 s.

Publikation: Bidrag til tidsskriftKonferenceartikel i tidsskriftForskningpeer review

short circuits
Short circuit currents
field effect transistors
static characteristics
degradation