Billede af He Du
  • Pontoppidanstræde 101, 2-053

    9220 Aalborg Ø

    Danmark

20182020

Publikationer pr. år

Hvis du har foretaget ændringer i Pure, vil de snart blive vist her.

Publikationer

  • 3 Tidsskriftartikel
  • 2 Konferenceartikel i proceeding
  • 1 Konferenceartikel i tidsskrift
2020

Impact of Repetitive Short-Circuit Tests on the Normal Operation of SiC MOSFETs Considering Case Temperature Influence

Du, H., Reigosa, P. D., Ceccarelli, L. & Iannuzzo, F., mar. 2020, I : IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics. 8, 1, s. 195-205 11 s., 8844745.

Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningpeer review

Åben adgang
Fil
1 Citationer (Scopus)
31 Downloads (Pure)
2019

Cost-Effective Prognostics of IGBT Bond Wires With Consideration of Temperature Swing

Hu, K., Liu, Z., Du, H., Ceccarelli, L., Iannuzzo, F., Blaabjerg, F. & Tasiu, I. A., 16 dec. 2019, I : I E E E Transactions on Power Electronics. 35, 7, s. 6773-6784 12 s.

Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningpeer review

Åben adgang
Fil
1 Downloads (Pure)

Finite Element Modeling of IGBT Modules to Explore the Correlation between Electric Parameters and Damage in Bond Wires

Jiang, M., Fu, G., Ceccarelli, L., Du, H., Fogsgaard, M. B., Bahman, A. S., Yang, Y. & Iannuzzo, F., sep. 2019, Proceedings of 2019 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE) . IEEE Press, s. 839-844 6 s. 8912236. (IEEE Energy Conversion Congress and Exposition).

Publikation: Bidrag til bog/antologi/rapport/konference proceedingKonferenceartikel i proceedingForskningpeer review

Impact of the Case Temperature on the Reliability of SiC MOSFETs Under Repetitive Short Circuit Tests

Du, H., Reigosa, P. D., Iannuzzo, F. & Ceccarelli, L., 24 maj 2019, 34th Annual IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition, APEC 2019. IEEE Press, s. 332-337 6 s. 8722300. (I E E E Applied Power Electronics Conference and Exposition. Conference Proceedings).

Publikation: Bidrag til bog/antologi/rapport/konference proceedingKonferenceartikel i proceedingForskningpeer review

Åben adgang
Fil
22 Downloads (Pure)

Implications of short-circuit events on power cycling of 1.2-kV/20-A SiC MOSFET power modules

Du, H., Ceccarelli, L., Iannuzzo, F. & Reigosa, P. D., sep. 2019, I : Microelectronics Reliability. 100-101, s. 1-6 6 s., 113373.

Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningpeer review

12 Downloads (Pure)
2018

Investigation on the degradation indicators of short-circuit tests in 1.2 kV SiC MOSFET power modules

Du, H., Reigosa, P. D., Iannuzzo, F. & Ceccarelli, L., 1 sep. 2018, I : Microelectronics Reliability. 88-90, s. 661-665 5 s.

Publikation: Bidrag til tidsskriftKonferenceartikel i tidsskriftForskningpeer review

Åben adgang
Fil
3 Citationer (Scopus)
21 Downloads (Pure)