Projektdetaljer
Beskrivelse
The project will develop new Si/GaN materials with highly advanced and well-controlled functionalization with respect to doping, defects, and their spatial profiles. Components fabricated on optimized Si/GaN wafers will be tested in the international consortium behind the project
Nøgleresultater
GaN HEMT; reliability
| Kort titel | SEMPEL |
|---|---|
| Status | Afsluttet |
| Effektiv start/slut dato | 01/04/2015 → 31/12/2019 |
Samarbejdspartnere
- Chalmers University of Technology
- Osaka University
Fingerprint
Udforsk forskningsemnerne, som dette projekt berører. Disse etiketter er oprettet på grundlag af de underliggende bevillinger/legater. Sammen danner de et unikt fingerprint.