Analysis of plasmonic properties of heavily doped semiconductors using full band structure calculations

    Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningpeer review

    19 Citationer (Scopus)
    OriginalsprogEngelsk
    TidsskriftJournal of Applied Physics
    Vol/bind113
    Udgave nummer11
    Antal sider10
    ISSN0021-8979
    DOI
    StatusUdgivet - 18 mar. 2013

    Citationsformater