Effect of short-circuit stress on the degradation of the SiO2 dielectric in SiC power MOSFETs

Paula Diaz Reigosa*, Francesco Iannuzzo, Lorenzo Ceccarelli

*Kontaktforfatter

Publikation: Bidrag til tidsskriftKonferenceartikel i tidsskriftForskningpeer review

40 Citationer (Scopus)
322 Downloads (Pure)

Søgeresultater